Rohm vừa ra mắt dòng driver cách ly BM6GD11BFJ-LB, được tối ưu hóa cho các transistor GaN HEMT dòng 600 V, dùng trong các thiết bị công nghiệp như động cơ và bộ nguồn máy chủ. Khi kết hợp với transistor GaN, driver đơn kênh này vẫn duy trì hoạt động ổn định ngay cả trong điều kiện chuyển mạch tốc độ cao, tần số cao.
Thiết bị này đảm bảo truyền tín hiệu an toàn bằng cách cách ly mạch điều khiển khỏi các sự kiện chuyển mạch có tốc độ tăng/giảm điện áp cao, thông qua cách ly điện môi (galvanic isolation). Với dải điện áp điều khiển cổng từ 4,5 V đến 6,0 V và khả năng cách ly lên tới 2500 Vrms, driver này tương thích với nhiều loại thiết bị GaN điện áp cao, bao gồm cả transistor GaN EcoGaN 650 V của Rohm. Mức tiêu thụ dòng ở phía đầu ra rất thấp—tối đa chỉ 0,5 mA—giúp giảm điện năng tiêu thụ ở chế độ chờ và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
BM6GD11BFJ-LB sử dụng công nghệ cách ly tích hợp độc quyền để giảm điện dung ký sinh, cho phép hoạt động ở tần số cao lên đến 2 MHz và cắt giảm số linh kiện ngoại vi cần thiết. Tốc độ miễn nhiễu chế độ chung (CMTI) được cải thiện lên tới 150 V/ns—cao hơn khoảng 1,5 lần so với các sản phẩm thông thường—giúp ngăn chặn lỗi khi chuyển mạch GaN tốc độ cao. Ngoài ra, độ rộng xung tối thiểu được rút gọn còn 65 ns giúp điều khiển chu kỳ làm việc chính xác hơn, từ đó đảm bảo vận hành ổn định và hiệu quả ở tần số cao.
Các bài viết liên quan:
https://bachkhoadientu.com/2025/07/bo-chuyen-doi-off-line-viper11b-st.html
Khóa học:
https://www.bachkhoadientu.edu.vn/course/cho-thanh-chuyen-gia-kiem-dinh-linh-kien
